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電磁兼容領域集成電路測試的兩種方法

更新時間:2025-07-23      點擊次數(shù):60

1.引言

集成電路相關技術作為發(fā)展前景的技術。目前,國家高度重視集成電路的芯片研發(fā)領域,特別是集成電路的芯片研發(fā)領域。

近年來,我國越來越多的科研機構、高校、IC企業(yè)研發(fā)部門逐步關注和從事集成電路的電磁兼容性(IC EMC)研究。目前關于IC EMC國外相關研究起步較早,發(fā)展迅速,形成了相對完善的理論體系和歐洲法國、德國、美國、韓國、日本、新加坡等先進的測試研究設備。國內(nèi)相關IC EMC目前,研究集中在國防科技大學、浙江大學、信息工程大學、中國科學院微電子研究所等高校,近年來取得了重要成果。


2.電磁敏感度

電磁兼容分為電磁干擾(EMI)和電磁敏感度(EMS)。簡單的說,EMI指影響其他設備正常工作的電磁輻射,EMS指設備抵抗外界電磁輻射干擾的能力。目前,電磁敏感性測試分為傳導、輻射、靜電放電、快速脈沖群、浪涌等多個項目。本文介紹了兩種測試方法。


3.電磁敏感度測試方法

3.1 傳導抗擾度

傳導抗擾性試驗主要分為直接功率注入法和大電流注入法。這里介紹了直接功率注入法。直接功率注入法通過干擾源產(chǎn)生干擾脈沖,通過功率放大器、定向耦合器注入網(wǎng)絡,然后注入測試設備。設備的功能狀態(tài)通過故障判斷來確定注入電壓的大小。測試框圖如圖1所示,圖2為實際設備的配置,具體配置參考IEC62132。


電磁兼容領域集成電路測試的兩種方法

圖1.測試框圖


電磁兼容領域集成電路測試的兩種方法

圖2.測試設備


在測試過程中,要注意盡量按照測試標準進行測試,此外,相關測試板的設計要充分考慮接地設置。

電磁兼容領域集成電路測試的兩種方法

電磁兼容領域集成電路測試的兩種方法

3.2 靜電放電

靜電放電試驗是設備抗擾性試驗的重要工程。目前,靜電放電試驗是設備抗擾性試驗的重要工程。ESD我國研究起步較早,取得了良好的研究成果。ESD相關測試設備太貴,一般小型研究機構不能從事進一步研究,其研究成果主要集中在測試設備齊全的大型研究機構。

目前國際上有關系ESD測試的一般標準IEC61000,規(guī)定了ESD脈沖的幅和上升時間如圖3所示,圖4為標準ESD發(fā)生器模型。


電磁兼容領域集成電路測試的兩種方法

圖3.ESD脈沖波形


電磁兼容領域集成電路測試的兩種方法

圖4.ESD發(fā)生器模型

電磁兼容領域集成電路測試的兩種方法

ESD測試方法簡單,只需將測試探頭壓在測試引腳上,注入脈沖波形即可。在測試過程中,測試人員應全程佩戴接地手鐲,防止人體靜電干擾。

推薦型號:

SESD216靜電放電發(fā)生器    16.5kV

SESD230靜電放電發(fā)生器    30kV

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